元器件型号详细信息

原厂型号
IPB180P04P4L02ATMA1
摘要
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
详情
表面贴装型 P 通道 40 V 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.4 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
286 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
18700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-7-3
封装/外壳
TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
基本产品编号
IPB180

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPB180P04P4L02ATMA1DKR
IPB180P04P4L02ATMA1TR
SP000709460
IPB180P04P4L02ATMA1CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPB180P04P4L02ATMA1

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规格书
1(IPB180P04P4L-02)
其他相关文档
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly/Status 6/Jul/2022)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
仿真模型
1(OptiMOS-P2-Spice Model)

价格

数量: 2000
单价: $18.70692
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $19.69151
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 500
单价: $23.34854
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $27.4272
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $33.477
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $37.29
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $23.34854
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $27.4272
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $33.477
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $37.29
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPB180P04P4L02ATMA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥37.29000
替代类型. : MFR Recommended