元器件型号详细信息

原厂型号
FDMD8430
摘要
FET ENGR DEV-NOT REL
详情
MOSFET - 阵列 30V 28A(Ta),95A(Tc) 2.1W(Ta),29W(Tc) 表面贴装型 8-PQFN(3.3x5)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)共源
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A(Ta),95A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.12 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
90nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5035pF @ 15V
功率 - 最大值
2.1W(Ta),29W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PQFN(3.3x5)
基本产品编号
FDMD84

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDMD8430

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()
PCN 产品变更/停产
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HTML 规格书
1(FDMD8430)

价格

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