元器件型号详细信息

原厂型号
EGF1THE3_A/H
摘要
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
详情
二极管 1300 V 1A 表面贴装型 DO-214BA(GF1)
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500

技术参数

制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
1300 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
3 V @ 1 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 1300 V
不同 Vr、F 时电容
8pF @ 4V,1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-214BA
供应商器件封装
DO-214BA(GF1)
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

112-EGF1THE3_A/HCT
112-EGF1THE3_A/HTR
112-EGF1THE3_A/HDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1THE3_A/H

相关文档

规格书
1(EGF1T)
HTML 规格书
1(EGF1T)

价格

-

替代型号

-