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GermanyRW1C020UNT2R
元器件型号详细信息
原厂型号
RW1C020UNT2R
摘要
MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 2A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
105 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
180 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-WEMT
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
基本产品编号
RW1C020
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
RW1C020UNT2RDKR
RW1C020UNT2RTR
RW1C020UNT2RCT
RW1C020UNT2R-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RW1C020UNT2R
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规格书
1(RW1C020UN)
价格
-
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型号 : RV2C010UNM60T2L1
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