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GermanyTK55S10N1,LXHQ
元器件型号详细信息
原厂型号
TK55S10N1,LXHQ
摘要
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 55A（Ta） 157W（Tc） DPAK+
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVIII-H
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
55A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 27.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3280 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
157W（Tc）
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK+
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
TK55S10
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
264-TK55S10N1LXHQCT
264-TK55S10N1LXHQTR
264-TK55S10N1LXHQDKR
TK55S10N1,LXHQ(O
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK55S10N1,LXHQ
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价格
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