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GermanyBSC082N10LSGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC082N10LSGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 13.8A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.8A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 110µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
104 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7400 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC082
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC082N10LSGATMA1TR
BSC082N10LSGXT
SP000379609
BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC082N10LS GTR-ND
BSC082N10LS GDKR-ND
BSC082N10LS GCT-ND
BSC082N10LSGATMA1CT
BSC082N10LS G-ND
BSC082N10LSGATMA1DKR-NDTR-ND
BSC082N10LS GCT
BSC082N10LSG
BSC082N10LS G
BSC082N10LS GDKR
BSC082N10LSGATMA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1
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HTML 规格书
1(BSC082N10LS G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $11.07787
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
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