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GermanySQD25N15-52_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQD25N15-52_GE3
摘要
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 25A（Tc） 107W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
52 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2200 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
107W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
SQD25
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SQD25N15-52-GE3-ND
SQD25N15-52_GE3TR
SQD25N15-52_GE3DKR
SQD25N15-52-GE3
SQD25N15-52_GE3CT
SQD25N15-52_GE3-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQD25N15-52_GE3
相关文档
规格书
1(SQD25N15-52)
PCN 组装/来源
1(SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014)
PCN 零件编号
1(New Ordering Code 19/Mar/2015)
HTML 规格书
1(SQD25N15-52)
价格
数量: 2000
单价: $15.38744
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $16.19729
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $19.20538
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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单价: $22.5602
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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替代型号
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