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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFH5025TR2PBF
摘要
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 250 V 3.8A（Ta） 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
400
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2150 pF @ 50 V
FET 功能
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerVDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFH5025TR2PBFTR
SP001563928
IRFH5025TR2PBFDKR
IRFH5025TR2PBFCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFH5025TR2PBF
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HTML 规格书
1(IRFH5025PBF)
EDA 模型
1(IRFH5025TR2PBF by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : TPH1110FNH,L1Q
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 5,352
单价. : ¥14.47000
替代类型. : 类似
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