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元器件型号详细信息
原厂型号
IPP80N06S3L-08
摘要
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详情
通孔 N 通道 55 V 80A（Tc） 105W（Tc） PG-TO220-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.9 毫欧 @ 43A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 55µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
134 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6475 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
105W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP80N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP80N06S3L08X
SP000088127
IPP80N06S3L08XK
IPP80N06S3L-08IN
IPP80N06S3L-08-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP80N06S3L-08
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规格书
1(IPB(I,P)80N06S3L-08)
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价格
-
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