元器件型号详细信息

原厂型号
EPC2049ENGRT
摘要
GANFET N-CH 40V 16A DIE
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 16A(Ta) 模具
原厂/品牌
EPC
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500

技术参数

制造商
EPC
系列
eGaN®
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 毫欧 @ 15A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.6 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
805 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
基本产品编号
EPC20

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040

其它名称

917-EPC2049ENGRDKR
917-EPC2049ENGRCT
917-EPC2049ENGRTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/EPC EPC2049ENGRT

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视频文件
1(Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video)
环保信息
1(EPC RoHS & Halogen Cert)
参考设计库
1(EPC9085: 20A, 0 ~ 40V, Half H-Bridge)
HTML 规格书
1(EPC2049ENGRT Preliminary)

价格

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替代型号

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