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元器件型号详细信息
原厂型号
IPD60R360P7SAUMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P7
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
555 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
41W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD60R
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ROCINFIPD60R360P7SAUMA1
IPD60R360P7SAUMA1TR
IPD60R360P7SAUMA1DKR
IPD60R360P7SAUMA1CT
2156-IPD60R360P7SAUMA1
IPD60R360P7SAUMA1-ND
SP001658166
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD60R360P7SAUMA1
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价格
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