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GermanyNTLJD3183CZTAG
元器件型号详细信息
原厂型号
NTLJD3183CZTAG
摘要
MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
详情
MOSFET - 阵列 20V 2.6A，2.2A 710mW 表面贴装型 6-WDFN（2x2）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A，2.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
68 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
355pF @ 10V
功率 - 最大值
710mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-WDFN（2x2）
基本产品编号
NTLJD31
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2156-NTLJD3183CZTAG-ONTR-ND
ONSONSNTLJD3183CZTAG
2156-NTLJD3183CZTAG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTLJD3183CZTAG
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规格书
1(NTLJD3183CZ)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 14/Apr/2010)
HTML 规格书
1(NTLJD3183CZ)
价格
-
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