English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRS21850SPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRS21850SPBF
摘要
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
详情
高端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
95
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
驱动配置
高端
通道类型
单路
驱动器数
1
栅极类型
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
4A，4A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
600 V
上升/下降时间（典型值）
15ns，15ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
IRS21850
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
2（1 年）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/电源管理（PMIC）/栅极驱动器/Infineon Technologies IRS21850SPBF
相关文档
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
PCN 产品变更/停产
()
PCN 组装/来源
1(Alt. Assembly and Test Site 18/Apr/2016)
PCN 封装
()
价格
-
替代型号
型号 : 1EDI20N12AFXUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥20.11000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥20.11000
替代类型. : 类似