English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTU7N105K5
元器件型号详细信息
原厂型号
STU7N105K5
摘要
MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
详情
通孔 N 通道 1050 V 4A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH5™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1050 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
380 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
IPAK（TO-251）
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
STU7N105
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-1138-STU7N105K5
-497-15249-5-ND
-497-15249-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STU7N105K5
相关文档
规格书
1(STx7N105K5)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site 22/Nov/2022)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML 规格书
1(STx7N105K5)
EDA 模型
1(STU7N105K5 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-