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GermanyNDFPD1N150CG
元器件型号详细信息
原厂型号
NDFPD1N150CG
摘要
MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220-3
详情
通孔 N 通道 1500 V 100mA（Ta） 2W（Ta），20W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
80 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），20W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
NDFPD1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-NDFPD1N150CG
NDFPD1N150CGOS
ONSONSNDFPD1N150CG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NDFPD1N150CG
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规格书
1(NDFPD1N150C)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 7/Apr/2021)
PCN 组装/来源
1(Mold compound change 17/Apr/2020)
HTML 规格书
1(NDFPD1N150C)
EDA 模型
1(NDFPD1N150CG by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-