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GermanyFQB6N80TM
元器件型号详细信息
原厂型号
FQB6N80TM
摘要
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 800 V 5.8A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.95 欧姆 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），158W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FQB6N80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQB6N80TM-ND
FQB6N80TMTR
FQB6N80TMDKR
FQB6N80TMCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQB6N80TM
相关文档
规格书
1(FQB6N80)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assem/Test Add 25/Jul/2019)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(FQB6N80TM by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
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