元器件型号详细信息

原厂型号
BSS209PWH6327XTSA1
摘要
MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 630mA(Tc) 300mW(Ta) PG-SOT323
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
550 毫欧 @ 630mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 3.5µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
115 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT323
封装/外壳
SC-70,SOT-323
基本产品编号
BSS209

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

BSS209PWH6327XTSA1TR
BSS209PWH6327XTSA1CT
SP000750498
BSS209PWH6327XTSA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSS209PWH6327XTSA1

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HTML 规格书
1(BSS209PW)
EDA 模型
()
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 20V P-Channel Spice Model)

价格

数量: 150000
单价: $0.34405
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 75000
单价: $0.35749
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.40318
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $0.43006
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $0.48382
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $0.53757
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $0.61818
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $0.80644
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $1.2179
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $2.146
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $2.86
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $0.61818
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
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最小包装数量: 1
数量: 100
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数量: 10
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1

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