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GermanySCT3080KW7TL
元器件型号详细信息
原厂型号
SCT3080KW7TL
摘要
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
详情
表面贴装型 N 通道 1200 V 30A（Tc） 159W TO-263-7
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
41 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
104 毫欧 @ 10A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
785 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
159W
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
SCT3080
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor SCT3080KW7TL
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规格书
1(SCT3080KW7)
产品培训模块
1(Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers)
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HTML 规格书
1(SCT3080KW7)
EDA 模型
1(SCT3080KW7TL by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
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包装: 卷带（TR）
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替代型号
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制造商 : GeneSiC Semiconductor
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