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GermanyIRF3205ZLPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF3205ZLPBF
摘要
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
详情
通孔 N 通道 55 V 75A（Tc） 170W（Tc） TO-262
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 66A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3450 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
170W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-262
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
IRF3205
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
*IRF3205ZLPBF
SP001564660
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF3205ZLPBF
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()
HTML 规格书
1(IRF3205Z(S,L)PbF)
仿真模型
1(IRF3205Z_S_LPBF Saber File)
价格
数量: 10000
单价: $5.77812
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $5.93017
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $12.091
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.43
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : FDP038AN06A0
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥29.89000
替代类型. : 直接
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