元器件型号详细信息

原厂型号
SIHF7N60E-E3
摘要
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
详情
通孔 N 通道 600 V 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
600 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
680 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
31W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
SIHF7

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIHF7N60E-E3

相关文档

规格书
1(SIHF7N60E)
产品培训模块
1(High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection)
PCN 设计/规格
1(Advisory 20/Mar/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices 18/Jul/2017)
HTML 规格书
1(SIHF7N60E)

价格

数量: 5000
单价: $8.39915
包装: 管件
最小包装数量: 1
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