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GermanyFDC640P
元器件型号详细信息
原厂型号
FDC640P
摘要
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
53 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
890 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SuperSOT™-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
FDC640
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDC640PTR
FDC640PCT
FDC640P-ND
FDC640PDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDC640P
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规格书
1(FDC640P)
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1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FDC640P)
价格
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