IPD90R1K2C3ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD90R1K2C3ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 900 V 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

5.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.2 欧姆 @ 2.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 310µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

28 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

710 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

83W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD90

其它名称

SP001117752

IPD90R1K2C3ATMA1-ND

IPD90R1K2C3ATMA1TR

IPD90R1K2C3ATMA1DKR

IPD90R1K2C3ATMA1CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD90R1K2C3ATMA1

价格

数量: 5000

单价: $6.57066
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $6.82337
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $7.32878
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $8.84506
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $10.7658
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $13.396
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $14.95
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $7.32878
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $8.84506
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $10.7658
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $13.396
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $14.95
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPD90R1K2C3ATMA2

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.95000
替代类型. : 直接

CX10S-G0HHDG-P-A-DK00000 N844-05M-12-P XLH525100.000000X 837-030-541-807 MGV12071R5M-10

IPD90R1K2C3ATMA1

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技术参数

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其它名称

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