IPD65R380E6BTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD65R380E6BTMA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

10.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

380 毫欧 @ 3.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 320µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

39 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

710 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

83W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD65R

其它名称

IPD65R380E6DKR

IPD65R380E6

IPD65R380E6BTMA1DKR

IPD65R380E6TR-ND

IPD65R380E6CT-ND

IPD65R380E6-ND

IPD65R380E6XT

IPD65R380E6DKR-ND

IPD65R380E6BTMA1TR

SP000795278

IPD65R380E6CT

IPD65R380E6BTMA1CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD65R380E6BTMA1

价格

-

替代型号

型号 : SPB11N60C3ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,591
单价. : ¥31.96000
替代类型. : 类似

型号 : FCD9N60NTM

制造商 : onsemi
库存 : 1,129
单价. : ¥20.03000
替代类型. : 类似

型号 : STD15N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 30
单价. : ¥40.15000
替代类型. : 类似

型号 : STD13N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,932
单价. : ¥15.03000
替代类型. : 类似

型号 : STD13NM60ND

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥34.50000
替代类型. : 类似

型号 : STD13NM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥23.53000
替代类型. : 类似

型号 : STD16N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 43
单价. : ¥19.80000
替代类型. : 类似

型号 : STD16N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 4,264
单价. : ¥24.09000
替代类型. : 类似

XC6124F522ER-G MR061A822JAATR2 DTS23H25-19XD RK73H1JRTTD1300D CPS19-LA00A10-SNCSNCWF-RI0BMVAR-W1059-S

IPD65R380E6BTMA1

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