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GermanyZXMD63P02XTC
元器件型号详细信息
原厂型号
ZXMD63P02XTC
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
详情
MOSFET - 阵列 20V 1.04W 表面贴装型 8-MSOP
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.25nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290pF @ 15V
功率 - 最大值
1.04W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装
8-MSOP
基本产品编号
ZXMD63
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated ZXMD63P02XTC
相关文档
规格书
1(ZXMD63P02X)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(ZXMD63P02X)
价格
-
替代型号
-