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GermanyPMT21EN,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PMT21EN,115
摘要
MOSFET N-CH 30V 7.4A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 7.4A（Ta） 820mW（Ta），8.33W（Tc） SOT-223
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 7.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
588 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
820mW（Ta），8.33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
568-10997-6
PMT21EN115
934066002115
568-10997-2
568-10997-1
PMT21EN,115-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PMT21EN,115
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规格书
1(PMT21EN)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 29/Dec/2014)
PCN 封装
1(All Dev Label Chgs 2/Aug/2020)
HTML 规格书
1(PMT21EN)
价格
-
替代型号
型号 : NDT451AN
制造商 : onsemi
库存 : 3,655
单价. : ¥8.67000
替代类型. : 类似
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