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GermanyIXFT86N30T
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFT86N30T
摘要
MOSFET N-CH 300V 86A TO268
详情
表面贴装型 N 通道 300 V 86A（Tc） 860W（Tc） TO-268AA
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Trench
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
86A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
43 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
860W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268AA
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
基本产品编号
IXFT86
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFT86N30T
相关文档
规格书
1(IXF(H,T)86N30T)
HTML 规格书
1(IXF(H,T)86N30T)
EDA 模型
1(IXFT86N30T by Ultra Librarian)
价格
数量: 30
单价: $74.90667
包装: 管件
最小包装数量: 30
包装: 管件
最小包装数量: 30
替代型号
-