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GermanyRD3H200SNTL1
元器件型号详细信息
原厂型号
RD3H200SNTL1
摘要
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 45 V 20A（Ta） 20W（Tc） TO-252
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
950 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
RD3H200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
RD3H200SNTL1CT
RD3H200SNTL1DKR
RD3H200SNTL1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RD3H200SNTL1
相关文档
规格书
1(RD3H200SN)
产品培训模块
1(Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers)
EDA 模型
1(RD3H200SNTL1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 2500
单价: $5.25865
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
数量: 1000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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