English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNGB8204NT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NGB8204NT4G
摘要
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
详情
IGBT 430 V 18 A 115 W 表面贴装型 D²PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
430 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
18 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
50 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 4V，15A
功率 - 最大值
115 W
开关能量
-
输入类型
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK
基本产品编号
NGB820
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi NGB8204NT4G
相关文档
规格书
1(NGB8204N, AN)
环保信息
1(onsemi RoHS)
HTML 规格书
1(NGB8204N, AN)
价格
-
替代型号
-