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GermanyNTD3055L104G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTD3055L104G
摘要
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
104 毫欧 @ 6A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta），48W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
NTD30
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTD3055L104G-ND
NTD3055L104GOS
2156-NTD3055L104G-ON
ONSONSNTD3055L104G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTD3055L104G
相关文档
规格书
1(NTD3055L104)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 20/Dec/2013)
PCN 组装/来源
1(Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014)
HTML 规格书
1(NTD3055L104)
价格
-
替代型号
型号 : NTD3055L104T4G
制造商 : onsemi
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