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GermanyDRDPB26W-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DRDPB26W-7
摘要
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 + 二极管 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-363
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
PNP - 预偏压 + 二极管
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基极 (R1)
220 Ohms
电阻器 - 发射极 (R2)
4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
47 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 跃迁
200 MHz
功率 - 最大值
200 mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
DRDPB26
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
DRDPB26WDITR
DRDPB26WDIDKR
DRDPB26WDICT
DRDPB26W7
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单，预偏置双极晶体管/Diodes Incorporated DRDPB26W-7
相关文档
规格书
1(DRDzzzzW)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 28/May/2020)
PCN 设计/规格
1(Bond Wire 16/Sept/2008)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Source Chgs 9/Mar/2018)
HTML 规格书
1(DRDzzzzW)
价格
-
替代型号
-