元器件型号详细信息

原厂型号
DMNH6011LK3-13
摘要
MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 80A(Tc) 1.6W(Ta) TO-252,(D-Pak)
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
49.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3077 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
DMNH6011

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMNH6011LK3-13

相关文档

规格书
1(DMNH6011LK3)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chg 6/Aug/2020)

价格

数量: 12500
单价: $4.15973
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $4.32222
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $4.54971
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500

替代型号

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