元器件型号详细信息

原厂型号
DMN62D0UW-13
摘要
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 340mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
340mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
32 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
320mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-323
封装/外壳
SC-70,SOT-323
基本产品编号
DMN62

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMN62D0UW-13

相关文档

规格书
1(DMN62D0UW)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Assembly REV 07/Sep/2021)

价格

数量: 250000
单价: $0.26261
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 100000
单价: $0.26867
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 50000
单价: $0.30301
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 30000
单价: $0.32321
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 10000
单价: $0.34341
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000

替代型号

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