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GermanyBSZ0910NDXTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSZ0910NDXTMA1
摘要
DIFFERENTIATED MOSFETS
详情
MOSFET - 阵列 30V 9.5A（Ta），25A（Tc） 1.9W（Ta），31W（Tc） 表面贴装型 PG-WISON-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.5A（Ta），25A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800pF @ 15V
功率 - 最大值
1.9W（Ta），31W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PG-WISON-8
基本产品编号
BSZ0910
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-BSZ0910NDXTMA1-448
BSZ0910NDXTMA1-ND
BSZ0910NDXTMA1CT
BSZ0910NDXTMA1TR
BSZ0910NDXTMA1DKR
SP001699886
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1
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()
HTML 规格书
1(BSZ0910ND)
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