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20260101
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元器件资讯
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FGA40T65SHDF
元器件型号详细信息
原厂型号
FGA40T65SHDF
摘要
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 268 W 通孔 TO-3PN
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.81V @ 15V,40A
功率 - 最大值
268 W
开关能量
1.22mJ(开),440µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
68 nC
25°C 时 Td(开/关)值
18ns/64ns
测试条件
400V,40A,6 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
101 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
基本产品编号
FGA40T65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGA40T65SHDF
相关文档
规格书
1(FGA40T65SHDF)
环保信息
()
特色产品
1(650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 27/Jul/2021)
PCN 封装
()
价格
数量: 100
单价: $20.6507
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $25.201
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $28.06
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-
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