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GermanyIPB136N08N3 G
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB136N08N3 G
摘要
MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13.6 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1730 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
79W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB136N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPB136N08N3 GCT-ND
IPB136N08N3 GTR-ND
IPB136N08N3 GDKR-ND
IPB136N08N3 GDKR
IPB136N08N3 GCT
IPB136N08N3G
IPB136N08N3GDKR
IPB136N08N3GCT
IPB136N08N3GTR
IPB136N08N3 G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB136N08N3 G
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PCN 产品变更/停产
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价格
-
替代型号
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库存 : 529
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制造商 : Nexperia USA Inc.
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型号 : PSMN017-80BS,118
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库存 : 147
单价. : ¥12.32000
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库存 : 735
单价. : ¥23.53000
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