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20251228
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元器件资讯
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F4-50R07W2H3_B51
元器件型号详细信息
原厂型号
F4-50R07W2H3_B51
摘要
IGBT MODULE VCES 650V 50A
详情
IGBT 模块 全桥反相器 650 V 65 A 520 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
15
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
EasyBRIDGE
包装
散装
产品状态
在售
IGBT 类型
-
配置
全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
65 A
功率 - 最大值
520 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.7V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值)
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
2950 pF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
F4-50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies F4-50R07W2H3_B51
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规格书
1(F4-50R07W2H3_B51)
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价格
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替代型号
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