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GermanyIRF5805TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF5805TRPBF
摘要
MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 3.8A（Ta） 2W（Ta） Micro6™（TSOP-6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
98 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
511 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF5805TRPBF-ND
IRF5805TRPBFCT
SP001576918
IRF5805TRPBFTR
IRF5805TRPBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF5805TRPBF
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规格书
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产品培训模块
()
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 08/May/2019)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022)
PCN 组装/来源
1(Wafer Site Update 15/Dec/2014)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(MSL Update 18/Feb/2015)
HTML 规格书
1(IRF5805)
仿真模型
1(IRF5805TRPBF Saber Model)
价格
-
替代型号
型号 : FDC654P
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥4.45000
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