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元器件型号详细信息
原厂型号
AUIRF7379QTR
摘要
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
详情
MOSFET - 阵列 30V 5.8A，4.3A 2.5W 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A，4.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
520pF @ 25V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
AUIRF7379
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies AUIRF7379QTR
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PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 5/Mar/2021)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(AUIRF7379Q)
仿真模型
1(Infineon AUIRF7379Q P-CH-SM-v01_00- EN Spice Model)
价格
-
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