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GermanyBSS670S2LH6327XTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSS670S2LH6327XTSA1
摘要
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 540mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
540mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
650 毫欧 @ 270mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 2.7µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
75 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
BSS670
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSS670S2L H6327DKR
BSS670S2L H6327CT
BSS670S2LH6327XTSA1CT
BSS670S2L H6327DKR-ND
BSS670S2L H6327-ND
BSS670S2LH6327XTSA1TR
BSS670S2LH6327XTSA1DKR
SP000928950
BSS670S2L H6327CT-ND
BSS670S2L H6327TR-ND
BSS670S2L H6327
BSS670S2LH6327
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSS670S2LH6327XTSA1
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HTML 规格书
1(BSS670S2L)
EDA 模型
1(BSS670S2LH6327XTSA1 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 150000
单价: $0.43059
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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