IPB100N06S3L-04

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB100N06S3L-04

摘要

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 55 V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.5 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

362 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

17270 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

214W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB100N

其它名称

SP000102219

IPB100N06S3L04

IPB100N06S3L-04INTR

IPB100N06S3L-04INCT

IPB100N06S3L04ATMA1

IPB100N06S3L-04-ND

IPB100N06S3L04XT

IPB100N06S3L-04INDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB100N06S3L-04

价格

-

替代型号

型号 : IRF3808STRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥29.26000
替代类型. : 类似

型号 : BUK964R2-55B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥16.06000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN004-60B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 5,462
单价. : ¥27.11000
替代类型. : 类似

型号 : PHB191NQ06LT,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥24.09000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN3R0-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似

型号 : NP100N055PUK-E1-AY

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 420
单价. : ¥24.80000
替代类型. : 类似

型号 : IXFA270N06T3

制造商 : IXYS
库存 : 50
单价. : ¥51.36000
替代类型. : 类似

型号 : DMTH6004SCTBQ-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥24.57000
替代类型. : 类似

416F44013ASR RK73H2ATTD18R0F 2N7002-T1-GE3 CFT-4 TBL004-508-15BE-2GY

IPB100N06S3L-04

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