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GermanyDMN26D0UFB4-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN26D0UFB4-7
摘要
MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 230mA（Ta） 350mW（Ta） X2-DFN1006-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14.1 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFN
基本产品编号
DMN26
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
DMN26D0UFB4-7DICT
DMN26D0UFB4-7DIDKR
DMN26D0UFB47
DMN26D0UFB4-7DITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7
相关文档
规格书
1(DMN26D0UFB4)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 17/Feb/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018)
PCN 其他
1(Subs 2-17-2023)
EDA 模型
()
价格
数量: 1000
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制造商 : onsemi
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