元器件型号详细信息

原厂型号
SI4420DYTRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
78 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2240 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI4420DYTRPBFTR-ND
SI4420DYTRPBF-ND
SI4420DYPBFCT
*SI4420DYTRPBF
SP001567504
SI4420DYPBFDKR
SI4420DYPBFTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies SI4420DYTRPBF

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规格书
1(SI4420DY)
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PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Add 28/Aug/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(SI4420DY)
EDA 模型
1(SI4420DYTRPBF by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

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