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GermanySE12DG-M3/I
元器件型号详细信息
原厂型号
SE12DG-M3/I
摘要
DIODE GEN PURP 400V 3.2A TO263AC
详情
二极管 400 V 3.2A 表面贴装型 TO-263AC（SMPD）
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
10 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
eSMP®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
400 V
电流 - 平均整流 (Io)
3.2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.15 V @ 12 A
速度
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
3 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
20 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容
90pF @ 4V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型
供应商器件封装
TO-263AC（SMPD）
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
SE12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
SE12DG-M3/IGIDKR
SE12DG-M3/IGICT
SE12DG-M3/IGITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE12DG-M3/I
相关文档
规格书
1(SE12D(B,D,G,J))
视频文件
1(eSMP® Package Evolution)
特色产品
1(Standard Rectifiers with ESD Capability in eSMP® Packages)
HTML 规格书
1(SE12D(B,D,G,J))
价格
数量: 4000
单价: $3.54168
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
替代型号
型号 : SE12DGHM3/I
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 2
单价. : ¥12.56000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥12.56000
替代类型. : 参数等效
型号 : SE12DTGHM3/I
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 300
单价. : ¥11.45000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥11.45000
替代类型. : 参数等效
型号 : SE12DTG-M3/I
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 4,300
单价. : ¥10.18000
替代类型. : 参数等效
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替代类型. : 参数等效