元器件型号详细信息

原厂型号
IPB080N06N G
摘要
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.7 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
93 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3500 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
214W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IPB080N

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPB080N06NGXT
IPB080N06NGINDKR
IPB080N06N G-ND
IPB080N06NGINTR
SP000204174
IPB080N06NGINCT
IPB080N06NG
IPB080N06NGATMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPB080N06N G

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