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GermanyPMDPB55XP,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PMDPB55XP,115
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
详情
MOSFET - 阵列 20V 3.4A 490mW 表面贴装型 6-HUSON（2x2）
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
8 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
785pF @ 10V
功率 - 最大值
490mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-HUSON（2x2）
基本产品编号
PMDPB55
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
PMDPB55XP,115-ND
1727-PMDPB55XP,115DKR
1727-1329-1
1727-1329-2-ND
1727-PMDPB55XP,115TR
934066506115
1727-1329-1-ND
568-10759-6
1727-1329-6
1727-1329-6-ND
1727-PMDPB55XP,115CT
568-10759-2
1727-1329-2
568-10759-1
568-10759-6-ND
568-10759-1-ND
568-10759-2-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Nexperia USA Inc. PMDPB55XP,115
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1(PMDPB55XP)
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