FCD850N80Z

元器件型号详细信息

原厂型号

FCD850N80Z

摘要

MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

详情

表面贴装型 N 通道 800 V 6A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

SuperFET® II

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

850 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 600µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

29 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1315 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

75W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252AA

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

FCD850

其它名称

FCD850N80ZDKR

FCD850N80ZDKR-ND

FCD850N80ZTR

FCD850N80ZCT

FCD850N80ZDKRINACTIVE

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCD850N80Z

价格

数量: 5000

单价: $8.85271
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $9.1932
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $9.87418
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $11.91706
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $14.5046
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $18.046
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $20.11
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPD60R2K0C6ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥7.47000
替代类型. : 直接

型号 : IPD60R1K5CEAUMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥6.04000
替代类型. : 直接

型号 : IPD60R2K1CEAUMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥5.25000
替代类型. : 直接

型号 : IPD60R800CEAUMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3
单价. : ¥7.39000
替代类型. : 直接

型号 : IPD60R600P6ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,500
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 直接

型号 : SPD06N80C3ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥18.60000
替代类型. : 直接

型号 : IPD65R660CFDAATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥19.80000
替代类型. : 类似

714-43-108-41-001000 3532-E-348-SS C322C683K1G5TA7301 SMZJ3809BHE3/52 3M 9626 1.5 X 7.25-100

FCD850N80Z

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