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GermanyTSM088NA03CR RLG
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM088NA03CR RLG
摘要
MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 61A（Tc） 56W（Tc） 8-PDFN（5x6）
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.8 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
750 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
56W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PDFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
TSM088
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM088NA03CR RLGDKR-ND
TSM088NA03CRRLGDKR
TSM088NA03CR RLGCT-ND
TSM088NA03CR RLGDKR
TSM088NA03CR RLGTR
TSM088NA03CRRLGTR
TSM088NA03CRRLGCT
TSM088NA03CR RLGTR-ND
TSM088NA03CR RLGCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM088NA03CR RLG
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规格书
1(TSM088NA03CR)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev 17/Sep/2021)
HTML 规格书
1(TSM088NA03CR)
价格
-
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