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GermanySQ2360EES-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQ2360EES-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 4.4A（Tc） SOT-23-3（TO-236）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
370 pF @ 25 V
FET 功能
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
SQ2360
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SQ2360EEST1GE3
SQ2360EES-T1-GE3CT
SQ2360EES-T1-GE3DKR
SQ2360EES-T1-GE3TR
SQ2360EES-T1-GE3-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQ2360EES-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SQ2360EES)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 03/Mar/2015)
HTML 规格书
1(SQ2360EES)
EDA 模型
1(SQ2360EES-T1-GE3 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
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制造商 : Infineon Technologies
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