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20250728
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元器件资讯
库存查询
IRS2111SPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRS2111SPBF
摘要
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
详情
半桥 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SOIC
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,800
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
驱动配置
半桥
通道类型
同步
驱动器数
2
栅极类型
IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH
8.3V,12.6V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
290mA,600mA
输入类型
反相,非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)
600 V
上升/下降时间(典型值)
75ns,35ns
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
IRS2111
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
2(1 年)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
SP001534628
2156-IRS2111SPBF
ROCINFIRS2111SPBF
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/电源管理(PMIC)/栅极驱动器/Infineon Technologies IRS2111SPBF
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PCN 组装/来源
1(Additional Test Site 07/Jan/2015)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRS2111(S)PbF)
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