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GermanyFQB12P20TM
元器件型号详细信息
原厂型号
FQB12P20TM
摘要
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
详情
表面贴装型 P 通道 200 V 11.5A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
470 毫欧 @ 5.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），120W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FQB12P20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQB12P20TMDKR
FQB12P20TMCT
2156-FQB12P20TM-OS
ONSONSFQB12P20TM
FQB12P20TM-ND
FQB12P20TMTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQB12P20TM
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规格书
1(FQB12P20, FQI12P20)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 14/Dec/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FQB12P20, FQI12P20)
EDA 模型
1(FQB12P20TM by Ultra Librarian)
价格
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型号 : IRF9640STRRPBF
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